IPD06P004NATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

16.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

- 27 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

63 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

15 S

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Parte # Alias:

IPD06P004N

Tags

IPD06P, IPD06, IPD0, IPD