DMN3008SCP10-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X4-DSN3415-10

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

14.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.1 mOhms, 6.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

31.3 nC, 31.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.7 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

858 ns, 858 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

314 ns, 314 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

928 ns, 928 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

186 ns, 186 ns

Tags

DMN3008, DMN300, DMN30, DMN3, DMN