NE3509M04-A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

CEL

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HFET

Tecnología:

GaAs

Ganar:

17.5 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 3 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 mA

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

FTSMM-4 (M04)

Frecuencia de operación:

2 GHz

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaAs HFET

Marca:

CEL

Transconductancia directa - Mín .:

80 mS

Voltaje de corte de puerta-fuente:

- 0.5 V

NF - Figura de ruido:

0.4 dB

P1dB - Punto de compresión:

11 dBm

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

Tags

NE3509, NE350, NE35, NE3