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IRF8306MTR1PBF

IRF8306MTR1PBF
Mfr. #:
IRF8306MTR1PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET MOSFT 30V Gen 3.6mOhm mx 25nC Og
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IRF8306MTR1PBF Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Rectificador internacional
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
DirectFET-7
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
75 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
19 ns
Hora de levantarse
34 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
23 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
25 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
19 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
16 ns
Qg-Gate-Charge
25 nC
Transconductancia directa-Mín.
61 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IRF830, IRF83, IRF8, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 23A DFN3X3EP
***ark
MOSFET, N CH, 30V, 0.0018OHM, 140A, DIRECTFET MX-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:140A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:7 ;RoHS Compliant: Yes
***ernational Rectifier
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 23 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IRF8306MTR1PBF
DISTI # IRF8306MTR1PBFTR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IRF8306MTR1PBF
    DISTI # IRF8306MTR1PBFCT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      IRF8306MTR1PBF
      DISTI # IRF8306MTR1PBFDKR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        IRF8306MTR1PBF
        DISTI # 942-IRF8306MTR1PBF        		Infineon Technologies AGMOSFET MOSFT 30V Gen 3.6mOhm mx 25nC Og
        RoHS: Compliant        		0
          IRF8306MTR1PBFInternational Rectifier 
          RoHS: Compliant          		Europe - 1000
            Imagen Parte # Descripción
            IRF8306MTR1PBF

            Mfr.#: IRF8306MTR1PBF

            OMO.#: OMO-IRF8306MTR1PBF

            		 MOSFET MOSFT 30V Gen 3.6mOhm mx 25nC Og
            IRF8306MTR1PBF

            Mfr.#: IRF8306MTR1PBF

            OMO.#: OMO-IRF8306MTR1PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

            		 IGBT Transistors MOSFET MOSFT 30V Gen 3.6mOhm mx 25nC Og
            IRF8306MTRPBF

            Mfr.#: IRF8306MTRPBF

            OMO.#: OMO-IRF8306MTRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

            		 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 25nC
            Disponibilidad
            Valores:
            Available
            En orden:
            2500
            Ingrese la cantidad:
            El precio actual de IRF8306MTR1PBF es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
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            Ext. Precio
            1
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            0,00 US$
            10
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            0,00 US$
            100
            0,00 US$
            0,00 US$
            500
            0,00 US$
            0,00 US$
            1000
            0,00 US$
            0,00 US$
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