BSC220N20NSFDATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

52 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

43 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

214 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Optimos 3

Embalaje:

Carrete

Serie:

BSC220N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

44 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Parte # Alias:

SP001795096

Tags

BSC22, BSC2, BSC