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SI7501DN-T1-GE3

SI7501DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7501DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 51/35mohoms @10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7501DN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Digi-ReelR
Paquete-Estuche
PowerPAKR 1212-8 Dual
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR 1212-8 Dual
Tipo FET
Canal N y P, drenaje común
Potencia máxima
1.6W
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
5.4A, 4.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
35 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
14nC @ 10V
Tags
SI7501DN-T, SI7501D, SI7501, SI750, SI75, SI7
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ronik
CMOS 30V 8A 35mOhm PwrPAK RoHSconf
***nell
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 8-1212
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Package/Case:8-1212; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7501DN-T1-GE3
DISTI # SI7501DN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI7501DN-T1-GE3
    DISTI # SI7501DN-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7501DN-T1-GE3
      DISTI # 781-SI7501DN-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 51/35mohoms @10V
      RoHS: Compliant      		0
        SI7501DN-T1-GE3
        DISTI # 2396092        		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N & P-CH, 30V, 5.4A, POWERPAK-8
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:$2.0500
        • 10:$1.8100
        • 100:$1.4300
        Imagen Parte # Descripción
        SI7501DN-T1-GE3

        Mfr.#: SI7501DN-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7501DN-T1-GE3-VISHAY

        		 IGBT Transistors MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 51/35mohoms @10V
        SI7501DN-T1-E3

        Mfr.#: SI7501DN-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI7501DN-T1-E3-VISHAY

        		 IGBT Transistors MOSFET COMPLEMENTARY 30-V (D-S)
        SI7501DN-T1-E3-CUT TAPE

        Mfr.#: SI7501DN-T1-E3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SI7501DN-T1-E3-CUT-TAPE-1190

        		 Nuevo y original
        SI7501DN

        Mfr.#: SI7501DN

        OMO.#: OMO-SI7501DN-1190

        		 Nuevo y original
        SI7501DN-T1

        Mfr.#: SI7501DN-T1

        OMO.#: OMO-SI7501DN-T1-1190

        		 Nuevo y original
        SI7501DNT1E3

        Mfr.#: SI7501DNT1E3

        OMO.#: OMO-SI7501DNT1E3-1190

        		 Nuevo y original
        Disponibilidad
        Valores:
        Available
        En orden:
        2500
        Ingrese la cantidad:
        El precio actual de SI7501DN-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
        Precio de referencia (USD)
        Cantidad
        Precio unitario
        Ext. Precio
        1
        0,00 US$
        0,00 US$
        10
        0,00 US$
        0,00 US$
        100
        0,00 US$
        0,00 US$
        500
        0,00 US$
        0,00 US$
        1000
        0,00 US$
        0,00 US$
        Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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