ATF-331M4-TR2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Broadcom Limited

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

pHEMT

Tecnología:

GaAs

Ganar:

15 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

5.5 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 5 V

Id - Corriente de drenaje continua:

305 mA

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

- 5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 160 C

Pd - Disipación de energía:

400 mW

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Mini PAK

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Fuente dual única

Altura:

0.7 mm

Longitud:

1.44 mm

Frecuencia de operación:

2 GHz

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaAs pHEMT

Ancho:

1.2 mm

Marca:

Broadcom / Avago

Transconductancia directa - Mín .:

440 mmho

NF - Figura de ruido:

0.6 dB

P1dB - Punto de compresión:

19 dBm

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

Transistores

Tags

ATF-331M4-T, ATF-331M, ATF-33, ATF-3, ATF