IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1
Mfr. #:
IPB180N06S4H1ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPB180N06S4H1ATMA1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPB180N06S4H1ATMA1 DatasheetIPB180N06S4H1ATMA1 Datasheet (P4-P6)IPB180N06S4H1ATMA1 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TO-263-7
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
60 V
Id - Corriente de drenaje continua:
180 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
1.3 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
2 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
270 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
250 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Carrete
Altura:
4.4 mm
Longitud:
10 mm
Serie:
XPB180N06
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
9.25 mm
Marca:
Infineon Technologies
Otoño:
15 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
5 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
1000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
60 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
30 ns
Parte # Alias:
IPB180N06S4-H1 IPB180N06S4H1XT SP000415562
Tags
IPB180N06, IPB180N0, IPB180N, IPB18, IPB1, IPB
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPB180N06S4H1ATMA1
DISTI # IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    IPB180N06S4H1ATMA1
    DISTI # IPB180N06S4H1ATMA1
    Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 - Bulk (Alt: IPB180N06S4H1ATMA1)
    Min Qty: 253
    Container: Bulk
    Americas - 0
    • 1265:$1.1900
    • 2530:$1.1900
    • 506:$1.2900
    • 759:$1.2900
    • 253:$1.3900
    IPB180N06S4H1ATMA1
    DISTI # 85X6019
    Infineon Technologies AGMOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes0
      IPB180N06S4-H1
      DISTI # 726-IPB180N06S4-H1
      Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
      RoHS: Compliant
      0
        IPB180N06S4H1ATMA1
        DISTI # 726-IPB180N06S4H1XT
        Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
        RoHS: Compliant
        0
          IPB180N06S4H1ATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-263
          RoHS: Compliant
          14
          • 1000:$1.3000
          • 500:$1.3700
          • 100:$1.4300
          • 25:$1.4900
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          IPB180N06S4H1ATMA1
          DISTI # 2443385RL
          Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 60V, 180A, TO-263-7
          RoHS: Compliant
          0
          • 5000:$1.9900
          • 2000:$2.0300
          • 1000:$2.0600
          • 500:$2.1700
          • 250:$2.2800
          • 100:$2.4600
          • 10:$2.7900
          • 1:$2.9900
          IPB180N06S4H1ATMA1
          DISTI # 2443385
          Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 60V, 180A, TO-263-7
          RoHS: Compliant
          23
          • 5000:$1.9900
          • 2000:$2.0300
          • 1000:$2.0600
          • 500:$2.1700
          • 250:$2.2800
          • 100:$2.4600
          • 10:$2.7900
          • 1:$2.9900
          IPB180N06S4H1ATMA1
          DISTI # 2443385
          Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 60V, 180A, TO-263-7
          RoHS: Compliant
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          • 500:£1.0600
          • 250:£1.0700
          • 100:£1.0800
          • 10:£1.1100
          • 1:£1.1300
          Imagen Parte # Descripción
          IPB180N06S4H1ATMA2

          Mfr.#: IPB180N06S4H1ATMA2

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4H1ATMA2

          MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
          IPB180N06S4H1ATMA1

          Mfr.#: IPB180N06S4H1ATMA1

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4H1ATMA1

          MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
          IPB180N06S4H1ATMA1

          Mfr.#: IPB180N06S4H1ATMA1

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4H1ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

          MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
          IPB180N06S4-H1

          Mfr.#: IPB180N06S4-H1

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4-H1-1190

          MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
          IPB180N06S4-H1(4N06H1)

          Mfr.#: IPB180N06S4-H1(4N06H1)

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4-H1-4N06H1--1190

          Nuevo y original
          IPB180N06S4-HI

          Mfr.#: IPB180N06S4-HI

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4-HI-1190

          Nuevo y original
          IPB180N06S4H1ATMA2

          Mfr.#: IPB180N06S4H1ATMA2

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4H1ATMA2-INFINEON-TECHNOLOGIES

          MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
          4000
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