STI10NM60N

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

550 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 50 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

70 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Serie:

STI10NM60N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.050717 oz

Tags

STI10, STI1, STI