D3S080N65B-U

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

D3 Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

38.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

70 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

77 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

D3

Otoño:

23 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

24 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Unidad de peso:

0.063493 oz

Tags

D3S08, D3S0, D3S