ARF1510

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Ganar:

17 dB

Potencia de salida:

750 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Embalaje:

Caja

Frecuencia de operación:

40 MHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 175 C

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

3 mS

Otoño:

10 ns

Pd - Disipación de energía:

1.5 kW

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Tags

ARF151, ARF15, ARF1, ARF