ARF475FL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Ganar:

15 dB

Potencia de salida:

900 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Embalaje:

Caja

Frecuencia de operación:

150 MHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 175 C

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

3 mS

Otoño:

4 ns

Pd - Disipación de energía:

910 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Hora de levantarse:

4.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.3 V

Tags

ARF47, ARF4, ARF