TN0110N3-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

350 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

A granel

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.21 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FET

Ancho:

4.19 mm

Marca:

Tecnología de microchip

Transconductancia directa - Mín .:

225 mS

Otoño:

3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2 ns

Unidad de peso:

0.016000 oz

Tags

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