SQ2364EES-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

240 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

460 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

2.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

8.8 S

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Tags

SQ236, SQ23, SQ2