SSM6P15FE(TE85L,F)

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ES6-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.55 mm

Longitud:

1.6 mm

Serie:

SSM6P15

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

20 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

175 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

65 ns

Unidad de peso:

0.000106 oz

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