SIRA00DP-T1-RE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

830 uOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, - 16 V

Qg - Carga de puerta:

220 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

104 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET, PowerPAK

Embalaje:

Carrete

Serie:

SEÑOR

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

140 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

67 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Unidad de peso:

0.017870 oz

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SIRA00DP-T1, SIRA00DP-T, SIRA00, SIRA0, SIRA, SIR