IXFQ20N50P3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3P-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

300 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

36 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

380 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Serie:

IXFQ20N50

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

11 S

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

43 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXFQ2, IXFQ, IXF