SI6975DQ-T1-GE3

SI6975DQ-T1-GE3
Mfr. #:
SI6975DQ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI6975DQ-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI6975DQ-GE3
Unidad de peso
0.005573 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-TSSOP
Configuración
Doble
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Potencia máxima
830mW
Tipo transistor
2 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
12V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
4.3A
Rds-On-Max-Id-Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 5mA (Min)
Puerta-Carga-Qg-Vgs
30nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
830 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
4.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
27 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tags
SI6975, SI697, SI69, SI6
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI6975DQ-T1-GE3
DISTI # SI6975DQ-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.8167
SI6975DQ-T1-GE3
DISTI # 781-SI6975DQ-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.7430
  • 6000:$0.7160
  • 9000:$0.6880
Imagen Parte # Descripción
SI6975DQ-T1-GE3

Mfr.#: SI6975DQ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI6975DQ-T1-GE3

MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V
SI6975DQ-T1-E3

Mfr.#: SI6975DQ-T1-E3

OMO.#: OMO-SI6975DQ-T1-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
SI6975DQ-T1-GE3

Mfr.#: SI6975DQ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI6975DQ-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V
SI6975DQ

Mfr.#: SI6975DQ

OMO.#: OMO-SI6975DQ-1190

Nuevo y original
SI6975DQ-T1-E3

Mfr.#: SI6975DQ-T1-E3

OMO.#: OMO-SI6975DQ-T1-E3-VISHAY

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
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1,03 US$
1,03 US$
10
0,98 US$
9,80 US$
100
0,93 US$
92,88 US$
500
0,88 US$
438,60 US$
1000
0,83 US$
825,60 US$
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