TPN1110ENH,L1Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSON-Advance-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

13 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

96 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

39 W

Configuración:

Triple

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

3.1 mm

Serie:

TPN1110ENH

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.1 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

4.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Tags

TPN111, TPN11, TPN1, TPN