FDMS7606

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A, 22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.4 mOhms, 11.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V, 1.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC, 19 nC

Pd - Disipación de energía:

2.2 W, 2.5 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

53 S, 47 S

Otoño:

3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.007443 oz

Tags

FDMS760, FDMS76, FDMS7, FDMS, FDM