STD12N50DM2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

120 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

110 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

MDmesh

Embalaje:

Carrete

Serie:

STD12N50DM2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

-

Kit de desarrollo:

-

Otoño:

9.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.5 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STD12N5, STD12N, STD12, STD1, STD