STD12N60M2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

395 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

-

Qg - Carga de puerta:

16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

-

Pd - Disipación de energía:

85 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

MDmesh

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.4 mm

Longitud:

6.2 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

STD12N60M2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MDmesh M2

Ancho:

6.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

-

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

-

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

-

Tiempo típico de retardo de encendido:

-

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STD12N60, STD12N6, STD12N, STD12, STD1, STD