IPP110N20N3GXKSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

88 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

87 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

71 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

26 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

41 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Parte # Alias:

G IPP110N20N3 IPP11N2N3GXK SP000677892

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IPP110N20N3G, IPP110N20N3, IPP110N2, IPP110, IPP11, IPP1, IPP