2SC5865TLQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

250 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2SC5865

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120 at 100 mA, 2 V

Altura:

0.85 mm

Longitud:

2.9 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SC5865TLQ, 2SC5865TL, 2SC5865T, 2SC5865, 2SC586, 2SC58, 2SC5, 2SC