KSD363O

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

120 V

Colector- Voltaje base VCBO:

300 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

8 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

10 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

240

Altura:

9.4 mm (Max)

Longitud:

10.1 mm (Max)

Embalaje:

A granel

Ancho:

4.7 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corriente continua del colector:

6 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

40

Pd - Disipación de energía:

40 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

200

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.080072 oz

Tags

KSD363, KSD36, KSD3, KSD