PD85035C

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Ganar:

14.5 dB

Potencia de salida:

35 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

M243

Embalaje:

A granel

Configuración:

Único

Altura:

4.45 mm (Max)

Longitud:

9.4 mm (Max)

Frecuencia de operación:

1 GHz

Serie:

PD85035C

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

6.1 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

108 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Tags

PD8503, PD850, PD85, PD8