PD85006L-E

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Ganar:

15 dB

Potencia de salida:

6 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerFLAT (5x5)

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

1 GHz

Serie:

PD85006L-E

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

STMicroelectronics

Modo de canal:

Mejora

Sensible a la humedad:

Yes

Pd - Disipación de energía:

20.8 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Unidad de peso:

0.105822 oz

Tags

PD85006, PD8500, PD850, PD85, PD8