OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hola, regístrateMi cuenta
0 Carro

SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3
Mfr. #:
SI2335DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI2335DS-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrenchFET
embalaje
Cinta y carrete (TR)
Estado de la pieza
Obsoleto
Tipo de FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.2A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)
1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
450mV @ 250A (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1225pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de energía (máx.)
750mW (Ta)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
51 mOhm @ 4A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tags
SI2335, SI233, SI23, SI2
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
TransMOSFETPCH12V32A3PinSOT23TR
***SourceElectronics
MOSFETPCH12V32ASOT233
***ark
18VPCHTRENCH
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI2335DS-T1-GE3
DISTI # SI2335DS-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI2335DS-T1-GE3
    DISTI # 781-SI2335DS-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI2333DDS-T1-GE3
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      SI2335DS-T1-GE3

      Mfr.#: SI2335DS-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI2335DS-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI2333DDS-T1-GE3
      SI2335DS-T1-E3

      Mfr.#: SI2335DS-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI2335DS-T1-E3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI2333DDS-T1-GE3
      SI2335DS-T1

      Mfr.#: SI2335DS-T1

      OMO.#: OMO-SI2335DS-T1-1190

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2315BDS-GE3
      SI2335DS-T1-E3

      Mfr.#: SI2335DS-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI2335DS-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
      SI2335DS-T1-GE3

      Mfr.#: SI2335DS-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI2335DS-T1-GE3-VISHAY

      		 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      4000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SI2335DS-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,00 US$
      0,00 US$
      10
      0,00 US$
      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
      0,00 US$
      0,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
      Empezar con
      Top