MMBF170Q-13-F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

70 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

MMBF170

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

80 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.000282 oz

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MMBF170Q, MMBF17, MMBF1, MMBF, MMB