FCU3400N80Z

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 30 V

Qg - Carga de puerta:

7.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

32 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SuperFET II

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.3 mm

Longitud:

6.8 mm

Serie:

FCU3400N80Z

Ancho:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

2 S

Otoño:

14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.012102 oz

Tags

FCU3, FCU