IRFHM792TR2PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

195 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

4.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.3 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

3.5 S

Otoño:

2.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

5.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.4 ns

Parte # Alias:

SP001575860

Unidad de peso:

0.001164 oz

Tags

IRFHM79, IRFHM7, IRFHM, IRFH, IRF