PMXB65UPEZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-1010D-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

59 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.07 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

9.4 S

Otoño:

17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.2 ns

Unidad de peso:

0.000045 oz

Tags

PMXB65U, PMXB6, PMXB, PMX