NTTFS4937NTWG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

75 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

15.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

43.1 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Serie:

NTTFS4937N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

37 S

Otoño:

7.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.9 ns

Tags

NTTFS493, NTTFS49, NTTFS4, NTTFS, NTTF, NTT