NTTFS4823NTWG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

50 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13.5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

3.05 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

3.05 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

34 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Tags

NTTFS4823, NTTFS482, NTTFS48, NTTFS4, NTTFS, NTTF, NTT