DMN3200U-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

650 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMN32

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Diodos incorporados

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

DMN3200U-7, DMN3200, DMN320, DMN32, DMN3, DMN