MMRF1312GSR5

MMRF1312GSR5
Mfr. #:
MMRF1312GSR5
Fabricante:
NXP / Freescale
Descripción:
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
MMRF1312GSR5 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
MMRF1312GSR5 DatasheetMMRF1312GSR5 Datasheet (P4-P6)MMRF1312GSR5 Datasheet (P7-P9)MMRF1312GSR5 Datasheet (P10-P12)MMRF1312GSR5 Datasheet (P13-P15)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
NXP
Categoria de producto:
Transistores RF MOSFET
Polaridad del transistor:
Canal N
Tecnología:
Si
Id - Corriente de drenaje continua:
2.6 A
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
- 500 mV, 112 V
Ganar:
19.6 dB
Potencia de salida:
1 kW
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
NI-1230GS-4L-4
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
900 MHz to 1.215 GHz
Escribe:
RF Power MOSFET
Marca:
NXP / Freescale
Número de canales:
2 Channel
Pd - Disipación de energía:
1.053 kW
Tipo de producto:
Transistores RF MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
1.8 V
Parte # Alias:
935320794178
Unidad de peso:
0.300472 oz
Tags
MMRF1312, MMRF131, MMRF13, MMRF1, MMRF, MMR
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor,900 to 1215 MHz, 1000 W, Typ Gain in dB is 17.3 @ 960 MHz, 52 V, LDMOS, SOT1806
***et
VHV8 1KW 50V NI1230GS-4L
***i-Key
TRANS 900-1215MHZ 1000W 52V
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
MMRF1312GSR5
DISTI # V36:1790_14214002
NXP SemiconductorsMMRF1312GS/CFM4/REEL 13" Q2/T30
    MMRF1312GSR5
    DISTI # MMRF1312GSR5TR-ND
    NXP SemiconductorsTRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 50
    Container: Tape & Reel (TR)
    Temporarily Out of Stock
    • 50:$552.9076
    MMRF1312GSR5
    DISTI # MMRF1312GSR5
    Avnet, Inc.VHV8 1KW 50V NI1230GS-4L - Tape and Reel (Alt: MMRF1312GSR5)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 50
    Container: Reel
    Americas - 0
    • 500:$528.8900
    • 300:$539.0900
    • 200:$559.4900
    • 100:$582.1900
    • 50:$605.9900
    MMRF1312GSR5
    DISTI # 841-MMRF1312GSR5
    NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V0
    • 50:$532.1500
    MMRF1312GSR5
    DISTI # MMRF1312GSR5
    NXP SemiconductorsRF POWER TRANSISTOR
    RoHS: Compliant
    0
    • 50:$530.0400
    Imagen Parte # Descripción
    MMRF1305HSR5

    Mfr.#: MMRF1305HSR5

    OMO.#: OMO-MMRF1305HSR5

    RF MOSFET Transistors 1.8-2000 MHz 100 W 50 V
    MMRF1310HR5

    Mfr.#: MMRF1310HR5

    OMO.#: OMO-MMRF1310HR5

    RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
    MMRF1306HSR5

    Mfr.#: MMRF1306HSR5

    OMO.#: OMO-MMRF1306HSR5

    RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
    MMRF1315NR1

    Mfr.#: MMRF1315NR1

    OMO.#: OMO-MMRF1315NR1

    RF MOSFET Transistors Broadband RF Power LDMOS Transistor, 500-1000 MHz, 60 W CW, 28 V
    MMRF1320NR1

    Mfr.#: MMRF1320NR1

    OMO.#: OMO-MMRF1320NR1

    RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
    MMRF1308HSR5

    Mfr.#: MMRF1308HSR5

    OMO.#: OMO-MMRF1308HSR5

    RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
    MMRF1320NR1

    Mfr.#: MMRF1320NR1

    OMO.#: OMO-MMRF1320NR1-NXP-SEMICONDUCTORS

    RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
    MMRF1318NR1

    Mfr.#: MMRF1318NR1

    OMO.#: OMO-MMRF1318NR1-NXP-SEMICONDUCTORS

    FET RF 110V 450MHZ
    MMRF1311HR5

    Mfr.#: MMRF1311HR5

    OMO.#: OMO-MMRF1311HR5-NXP-SEMICONDUCTORS

    TRANS 470-860MHZ 600W 50V
    MMRF1310HR5

    Mfr.#: MMRF1310HR5

    OMO.#: OMO-MMRF1310HR5-NXP-SEMICONDUCTORS

    RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    1000
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de MMRF1312GSR5 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Empezar con
    Nuevos productos
    Top