SQ1563AEH-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

850 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

150 mOhms, 500 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV, 1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

930 pC, 1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

2.6 S, 1.5 S

Otoño:

17 ns, 20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns, 22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns, 28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns, 2 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

SQ15, SQ1