IXFH18N60X

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

230 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

35 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

320 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Otoño:

24 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

63 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Tags

IXFH18N6, IXFH18N, IXFH18, IXFH1, IXFH, IXF