IXTH3N100P

IXTH3N100P
Mfr. #:
IXTH3N100P
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET 3 Amps 1000V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTH3N100P Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTH3N100P DatasheetIXTH3N100P Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
IXYS
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-247-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:
3 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
4.8 Ohms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
125 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Tubo
Altura:
21.46 mm
Longitud:
16.26 mm
Serie:
IXTH3N100
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
5.3 mm
Marca:
IXYS
Otoño:
29 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
27 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
30
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
75 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
22 ns
Unidad de peso:
0.229281 oz
Tags
IXTH3N1, IXTH3N, IXTH3, IXTH, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***trelec
MOSFET [Ixys] IXTH3N100P MOSFET
***el Electronic
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTH3N100P
DISTI # IXTH3N100P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$3.9107
IXTH3N100P
DISTI # 747-IXTH3N100P
IXYS CorporationMOSFET 3 Amps 1000V
RoHS: Compliant
0
  • 1:$5.0800
  • 10:$4.5400
  • 25:$3.9500
  • 50:$3.8700
  • 100:$3.7300
  • 250:$3.1800
  • 500:$3.0200
  • 1000:$2.5400
  • 2500:$2.1800
Imagen Parte # Descripción
IXTH300N04T2

Mfr.#: IXTH300N04T2

OMO.#: OMO-IXTH300N04T2

MOSFET Trench T2 Power MOSFET
IXTH36N20T

Mfr.#: IXTH36N20T

OMO.#: OMO-IXTH36N20T

MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds
IXTH30N25

Mfr.#: IXTH30N25

OMO.#: OMO-IXTH30N25

MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds
IXTH32N65X

Mfr.#: IXTH32N65X

OMO.#: OMO-IXTH32N65X-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 650V 32A TO-247
IXTH30N60P

Mfr.#: IXTH30N60P

OMO.#: OMO-IXTH30N60P-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
IXTH30N50

Mfr.#: IXTH30N50

OMO.#: OMO-IXTH30N50-IXYS-CORPORATION

MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds
IXTH30N50L

Mfr.#: IXTH30N50L

OMO.#: OMO-IXTH30N50L-IXYS-CORPORATION

MOSFET 30 Amps 500V
IXTH300N04T2

Mfr.#: IXTH300N04T2

OMO.#: OMO-IXTH300N04T2-IXYS-CORPORATION

MOSFET Trench T2 Power MOSFET
IXTH360N055T2

Mfr.#: IXTH360N055T2

OMO.#: OMO-IXTH360N055T2-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 360Amps 55V
IXTH3N120

Mfr.#: IXTH3N120

OMO.#: OMO-IXTH3N120-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
5,08 US$
5,08 US$
10
4,54 US$
45,40 US$
25
3,95 US$
98,75 US$
50
3,87 US$
193,50 US$
100
3,73 US$
373,00 US$
250
3,18 US$
795,00 US$
500
3,02 US$
1 510,00 US$
1000
2,54 US$
2 540,00 US$
2500
2,18 US$
5 450,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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