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VS-GT180DA120U

VS-GT180DA120U
Mfr. #:
VS-GT180DA120U
Fabricante:
Vishay Semiconductors
Descripción:
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
VS-GT180DA120U Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
VS-GT180DA120U DatasheetVS-GT180DA120U Datasheet (P4-P6)VS-GT180DA120U Datasheet (P7-P9)VS-GT180DA120U Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
VS-GT180DA120U más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Vishay
Categoria de producto:
Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Y
Producto:
Módulos de potencia de diodos
Escribe:
Módulo IGBT
Vf - Voltaje directo:
3 V
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
SOT-227-4
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Configuración:
Único
Marca:
Semiconductores Vishay
Polaridad del transistor:
Canal N
Otoño:
137 ns
Id - Corriente de drenaje continua:
100 A
Pd - Disipación de energía:
1087 W
Tipo de producto:
Módulos de semiconductores discretos
Hora de levantarse:
59 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
10
Subcategoría:
Módulos de semiconductores discretos
Tiempo de retardo de apagado típico:
334 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
192 ns
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
5.8 V
Tags
VS-GT1, VS-GT, VS-G
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
IGBT Power Modules
Vishay IGBT Power Modules feature trench PT IGBT technology and are geared toward TIG welding machines. These IGBTs combine Hexfred and Fret PT diode technology and meet UL standards. Features like INT-A-PAK allow for designs with limited height requirements on the board that needs high voltages and currents.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
VS-GT180DA120U
DISTI # VS-GT180DA120U-ND		Vishay SemiconductorsIGBT 1200V SOT-227
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		103In Stock
  • 100:$36.3660
  • 30:$40.1280
  • 10:$41.8840
  • 1:$44.8900
VS-GT180DA120U
DISTI # VS-GT180DA120U		Vishay IntertechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 281A ±20V Screw Mount (Alt: VS-GT180DA120U)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 0
  • 1000:€34.9900
  • 500:€36.0900
  • 100:€36.7900
  • 50:€37.3900
  • 25:€41.4900
  • 10:€50.7900
  • 1:€64.5900
VS-GT180DA120U
DISTI # 78-VS-GT180DA120U		Vishay IntertechnologiesDiscrete Semiconductor Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
RoHS: Compliant		0
  • 1:$46.3800
  • 5:$45.1500
  • 10:$43.4000
  • 25:$40.1300
  • 50:$38.8800
  • 100:$37.6200
VS-GT180DA120UVishay IntertechnologiesDiscrete Semiconductor Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
RoHS: Compliant		Americas -
    Imagen Parte # Descripción
    VS-GT180DA120U

    Mfr.#: VS-GT180DA120U

    OMO.#: OMO-VS-GT180DA120U

    		 Discrete Semiconductor Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
    VS-GT180DA120U

    Mfr.#: VS-GT180DA120U

    OMO.#: OMO-VS-GT180DA120U-VISHAY

    		 IGBT 1200V SOT-227
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    3500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de VS-GT180DA120U es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    46,38 US$
    46,38 US$
    5
    45,15 US$
    225,75 US$
    10
    43,40 US$
    434,00 US$
    25
    40,13 US$
    1 003,25 US$
    50
    38,88 US$
    1 944,00 US$
    100
    37,62 US$
    3 762,00 US$
    250
    35,12 US$
    8 780,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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