DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7
Mfr. #:
DMN61D8LVT-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
DMN61D8LVT-7 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
DMN61D8LVT-7 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Diodos incorporados
categoria de producto
FET: matrices
Serie
DMN61
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
TSOT-26
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
820mW
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
60V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
12.9pF @ 12V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
630mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 1mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
0.74nC @ 5V
Disipación de potencia Pd
820 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
440 ns 440 ns
Hora de levantarse
301 ns 301 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
+/- 12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
630 mA 630 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V 60 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
1.3 V 1.3 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
2.4 Ohms 2.4 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
582 ns 582 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
131 ns 131 ns
Qg-Gate-Charge
0.74 nC 0.74 nC
Modo de canal
Mejora
Tags
DMN61D8LV, DMN61D8, DMN61D, DMN61, DMN6, DMN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Dual N-Channel 60 V 1.8 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TSOT-26
***ical
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Diodes Inc. DMNxx MOSFETs
Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
DMN61D8LVT-7
DISTI # DMN61D8LVT-7DICT-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
13In Stock
  • 1000:$0.2053
  • 500:$0.2657
  • 100:$0.3623
  • 10:$0.4830
  • 1:$0.5700
DMN61D8LVT-7
DISTI # DMN61D8LVT-7DIDKR-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
13In Stock
  • 1000:$0.2053
  • 500:$0.2657
  • 100:$0.3623
  • 10:$0.4830
  • 1:$0.5700
DMN61D8LVT-7
DISTI # DMN61D8LVT-7DITR-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
On Order
  • 3000:$0.1817
DMN61D8LVT-7
DISTI # DMN61D8LVT-7
Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN61D8LVT-7)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$0.1279
  • 6000:$0.1209
  • 12000:$0.1159
  • 18000:$0.1099
  • 30000:$0.1079
DMN61D8LVT-7
DISTI # 621-DMN61D8LVT-7
Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
RoHS: Compliant
29
  • 1:$0.4700
  • 10:$0.3850
  • 100:$0.2350
  • 1000:$0.1820
  • 3000:$0.1550
DMN61D8LVT-13
DISTI # 621-DMN61D8LVT-13
Diodes IncorporatedMOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.4700
  • 10:$0.3850
  • 100:$0.2350
  • 1000:$0.1820
  • 2500:$0.1550
Imagen Parte # Descripción
DMN61D9UWQ-7

Mfr.#: DMN61D9UWQ-7

OMO.#: OMO-DMN61D9UWQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMN61D8L-7

Mfr.#: DMN61D8L-7

OMO.#: OMO-DMN61D8L-7

MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
DMN61D8LVTQ-7

Mfr.#: DMN61D8LVTQ-7

OMO.#: OMO-DMN61D8LVTQ-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
DMN61D9U-13

Mfr.#: DMN61D9U-13

OMO.#: OMO-DMN61D9U-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
DMN61D8L-13

Mfr.#: DMN61D8L-13

OMO.#: OMO-DMN61D8L-13

MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMN61D9UDW-7

Mfr.#: DMN61D9UDW-7

OMO.#: OMO-DMN61D9UDW-7-DIODES

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN61D8LVT-7

Mfr.#: DMN61D8LVT-7

OMO.#: OMO-DMN61D8LVT-7-DIODES

IGBT Transistors MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
DMN61D8LVTQ-7

Mfr.#: DMN61D8LVTQ-7

OMO.#: OMO-DMN61D8LVTQ-7-DIODES

IGBT Transistors MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
DMN61D8LVT-13

Mfr.#: DMN61D8LVT-13

OMO.#: OMO-DMN61D8LVT-13-DIODES

MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMN61D9U-7

Mfr.#: DMN61D9U-7

OMO.#: OMO-DMN61D9U-7-DIODES

MOSFET N-CH 60V 0.38A
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de DMN61D8LVT-7 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,16 US$
0,16 US$
10
0,15 US$
1,54 US$
100
0,15 US$
14,57 US$
500
0,14 US$
68,80 US$
1000
0,13 US$
129,50 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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