DMN61D9UWQ-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

340 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V

Qg - Carga de puerta:

400 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

440 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

200 mS

Otoño:

8.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.1 ns

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