SQM110N05-06L_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

110 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

110 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

157 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

90 S

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.050717 oz

Tags

SQM110N05, SQM110N0, SQM110N, SQM110, SQM11, SQM1, SQM