NVMFD5C470NLWFT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

36 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.2 mOhms, 9.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

9 nC, 9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

24 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

NVMFD5C470NL

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

30 S, 30 S

Otoño:

36 ns, 36 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

55 ns, 55 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns, 20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.3 ns, 9.3 ns

Tags

NVMFD5C470, NVMFD5C47, NVMFD5C4, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM