2SD1863TV2R

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

Estilo de montaje:

A través del orificio

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

180 at 500 mA, 3 V

Altura:

4.4 mm

Longitud:

6.8 mm

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

180

Pd - Disipación de energía:

1200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SD186, 2SD18, 2SD1, 2SD