2SD1835T-AA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

NP-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.15 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

150 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2SD1835

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

2 A

Pd - Disipación de energía:

750 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SD1835, 2SD183, 2SD18, 2SD1, 2SD