2N3501

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-39-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

150 V

Colector- Voltaje base VCBO:

150 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.4 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

150 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2N3501

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300

Altura:

6.6 mm

Longitud:

9.4 mm

Embalaje:

A granel

Ancho:

9.4 mm

Marca:

Semiconductor central

Pd - Disipación de energía:

1000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N3501 PBFREE

Unidad de peso:

0.035486 oz

Tags

2N3501, 2N350, 2N35, 2N3