MAGX-001214-500L00

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

MACOM

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

19.2 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

175 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18.1 A

Potencia de salida:

500 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 95 C

Pd - Disipación de energía:

583 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Embalaje:

A granel

Configuración:

Fuente común

Frecuencia de operación:

1.2 GHz to 1.4 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 95 C

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaN SiC HEMT

Marca:

MACOM

Transconductancia directa - Mín .:

12.5 S

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3.1 V

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