NTP8G202NG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

GaN

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

18 V

Qg - Carga de puerta:

6.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

65 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.2 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

NTP8, NTP