IPB65R660CFDAATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

594 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

62.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CoolMOS CFDA

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon / IR

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Parte # Alias:

IPB65R660CFDA IPB65R66CFDAXT SP000875794

Unidad de peso:

0.068654 oz

Tags

IPB65R660CFDA, IPB65R66, IPB65R6, IPB65, IPB6, IPB